[email protected]
Ще ви отговорим до 24 часа
Безплатна доставка със Еконт над 129 лв
Speedy office 11.00 лв
Speedy 13.00 лв
ЕКОНТ 6.00 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6.00 лв
Box Now 6.00 лв
Контакт
Как се пазарува?
Помощ
Доставка
Speedy office 11.00 лв
Speedy 13.00 лв
ЕКОНТ 6.00 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6.00 лв
Box Now 6.00 лв
Безплатна доставка със Еконт над 129 лв
Наръчник за пазаруване
Тук сме за Вас!
[email protected]
Моят акаунт
Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства.
Създай на безплатен акаунт
▸
Празна :-(
0
Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
Език
Английски език
Английски език
Книга
С твърди корици
Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers ke...
Цялото описание
Код Либристо: 06670073
?
1040 b
1040 b
811.10
лв
Външен склад
Изпращаме след 9-12 дни
30 дни за връщане на стоката
Може би ще Ви заинтересува
/
С меки корици
56.59
лв
/
С меки корици
120.16
лв
Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics.
Информация за книгата
Пълно заглавие
Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
Автор
G. A. Armstrong
Език
Английски език
Английски език
Корици
Книга - С твърди корици
Дата на издаване
2001
Брой страници
402
Баркод
9780750307239
ISBN
9780750307239
Код Либристо
06670073
Издателство
Taylor & Francis Ltd
Тегло
449
Размери
156 x 234 x 24
