[email protected]
Ще ви отговорим до 24 часа
Безплатна доставка със Еконт над 129 лв
Speedy office 11.00 лв
Speedy 13.00 лв
ЕКОНТ 6.00 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6.00 лв
Box Now 6.00 лв
Контакт
Как се пазарува?
Помощ
Доставка
Speedy office 11.00 лв
Speedy 13.00 лв
ЕКОНТ 6.00 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6.00 лв
Box Now 6.00 лв
Безплатна доставка със Еконт над 129 лв
Наръчник за пазаруване
Тук сме за Вас!
[email protected]
Моят акаунт
Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства.
Създай на безплатен акаунт
▸
Празна :-(
0
Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
Език
Английски език
Английски език
Книга
С меки корици
Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints....
Цялото описание
Код Либристо: 06616699
?
324 b
324 b
252.31
лв
Външен склад в ограничено количество
Изпращаме след 13-16 дни
30 дни за връщане на стоката
Може би ще Ви заинтересува
Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints. The authors report on the state of the art both at Lucent Technology and in academic research. The book will appeal to researchers and advanced students.
Информация за книгата
Пълно заглавие
Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
Автор
Yves J. Chabal
Език
Английски език
Английски език
Корици
Книга - С меки корици
Дата на издаване
2012
Брой страници
262
Баркод
9783642625831
ISBN
9783642625831
Код Либристо
06616699
Тегло
433
Размери
155 x 235 x 16
