[email protected]
Ще ви отговорим до 24 часа
Безплатна доставка със Еконт над 129 лв
Speedy office 11.00 лв
Speedy 13.00 лв
ЕКОНТ 6.00 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6.00 лв
Box Now 6.00 лв
Контакт
Как се пазарува?
Помощ
Доставка
Speedy office 11.00 лв
Speedy 13.00 лв
ЕКОНТ 6.00 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6.00 лв
Box Now 6.00 лв
Безплатна доставка със Еконт над 129 лв
Наръчник за пазаруване
Тук сме за Вас!
[email protected]
Моят акаунт
Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства.
Създай на безплатен акаунт
▸
Празна :-(
0
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Език
Английски език
Английски език
Книга
С меки корици
This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their c...
Цялото описание
Код Либристо: 02647210
?
964 b
964 b
751.47
лв
Външен склад в ограничено количество
Изпращаме след 13-16 дни
30 дни за връщане на стоката
Може би ще Ви заинтересува
This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their complexes in silicon. Besides compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behaviour from investigations, it gives a comprehensive introduction into the relevant fundamental concepts.§
Информация за книгата
Пълно заглавие
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Автор
Peter Pichler
Език
Английски език
Английски език
Корици
Книга - С меки корици
Дата на издаване
2012
Брой страници
554
Баркод
9783709172049
ISBN
3709172047
Код Либристо
02647210
Издателство
Springer Verlag GmbH
Тегло
1104
Размери
178 x 254 x 32
