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Isolation haute température des semi-conducteurs de puissance
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L'évolution des besoins en électronique de puissance de plus en plus exigeants, a eu comme effet l'apparition de nouveaux matériaux dans le domaine du génie électrique. Le carbure de silicium (SiC) avec ses remarquables propriétés physiques permet aux composants de puissance d'atteindre des gammes de températures et de tensions étendues au-delŕ des limites imposées par la filičre silicium. L'objectif de cette étude est d'évaluer les potentialités du polyimide pour l'isolation des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC). Des caractérisations électriques ont été réalisées dans une gamme de température étendue jusqu'ŕ 260°C. Cette étude a permis de mettre en évidence la nécessité d'optimiser le recuit d'imidisation du procédé d'élaboration du film de polyimide afin d'obtenir des propriétés électriques adaptée ŕ des applications avec des températures pouvant atteindre 350°C.
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